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三星电子提高NAND闪存价格 短时间内将无法恢复

三星电子计划将其NAND闪存价格前进10%,缘故原由这天本政府对半导体材料出口限定导致临盆中断的担忧日益增添。美光科技等其他公司也可能效仿。

近来,在东芝发生停电变乱后,三星电子的供需状况有所改良。此外,NAND闪存库存已经削减到四周,大年夜约是DRAM库存的一半,而NAND闪存需求在价格大年夜幅下降后这几天正在上升。

这个项目的价格此时并没有下降。适用于公司间买卖营业的条约价格在今年6月份竣事了7个月,当时128 Gb MLC的单价为3.93美元。此外,近期现货价格小幅上涨。

三星电子的举动与近来不停持续的价格下跌有关。6月价格为3.93美元,是自2016年9月以来的最低价格,当市价格为3.75美元。作为参考,一年前的单价高达5.5美元。上个月,合约价格变更不大年夜,而DRAM合约价格下跌11.73%。

与此同时,东芝是业内第二大年夜产品,在变乱发生后,其产量削减了20%以上。不仅东芝而且西部数据公司在东芝的制造工厂临盆NAND闪存。这举变乱对三星电子和SK海力士的库存孕育发生了重大年夜影响,由于东芝和西部数据的市场份额分手高达19.3%和15.3%。

紧张的是智妙手机制造商和办事器公司是否会在计划价格上涨后继承增添需求。业内人士指出,举世半导体财产不太可能在明年上半年规复,这意味着今朝的价格上涨势头不太可能继承。相反,计划的价格上涨反应了NAND闪存制造商的扫兴情绪,除了三星电子之外,这些制造商处于吃亏状态。

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